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1SS108中文资料

  • 大小:296.66KB
  • 厂家:SUNMATE/森美特
  • 描述:1 of 2 SILICON SCHOTTKY BARRIER DIODE 1SS108 Reverse voltage V R Average rectified current I O Junction temperature Tj 125 C Storage temperature Tstg –55 to +125 C Electrical Characteristics (Ta = 25 C) Item Symbol Min Typ Max Unit Test Condition Forward current I F 3.0 — — mA V F = 1V Reverse current I R — — 100 mAV R = 10V Capacitance C — — 3.0 pF V R = 1V, f = 1MHz Rectifier efficiency h 70 — — % Vin = 2Vrms, f = 40MHz, R L = 5kW , C L = 20pF ESD-Capability — 70 — — V *C = 200pF, Both forward and reverse direction 1 pulse. Note: Failure criterion; I R ? 200m A at V R = 10V Features 0.079(2.0) MAX 0.020(0.52) TYP 0.165 (4.2) MAX 1.0 2(26.0) MIN. 1.0 2(26.0) MIN. DO-35(GLASS) Dimensions in millimeters www.sunmate.tw Mechanical Data Case: DO-35, glass case Polarity: Color band denotes cathode Weight: 0.004 ounces, 0.13 grams ! ! ! Detection efficiency is very good. Small temperature coefficient. High reliability with glass seal. ! ! ! 15 mA 30 V Item Symbol Va

1SS108供应商

更新时间:2022-12-31 06:12:07
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